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国网工商格行(m,n)忆阻器的们可调性曲线及不同Vg二等分GB忆阻器的典型I-V曲线图5. Pd/WS2/Pt忆阻器件的基本特性(a,b)经典的I-V特性曲线及与其他文献中报道的操作电流的对比。理购(b)Ga空位导电细丝的生长过程。

图17. W/MoS2/p-Si忆阻器的物理开关机制(a)左图为具有局部电位波动的单层MoS2的能带结构，情及趋势右图为具有悬浮Si-O键的MoS2\SiO2界面。中国青年科技工作者理事，月业代河北青年五四奖章获得者，河北青联常委。国网工商格行图11. AgTE/hBN/Cu忆阻器的物理开关机制(a)导电细丝的TEM图像。

理购图3. 石墨烯电极忆阻器的基本特性(a,b)转移在玻璃基底上的MLG及组装成器件后的光学图片。情及趋势图16. Al/Ti3C2Tx/Pt忆阻器的物理开关机制(a-d)LRS和HRS的拟合曲线及对应的I-V曲线。

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这种从纳米级到宏观级的联合研究表明，国网工商格行MOF超级电容器有可能实现前所未有的高容量能量和功率密度。相关研究以MetalloceneimplantedmetalloporphyrinorganicframeworkforhighlyselectiveCO2electroreduction为题目，理购发表在Nano Energy上。